Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT High voltage fast switching NPN power transistor

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

290 ₽

– +

Бонус: 5.8 !

Бонусная программа

Итого: 290 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	18 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	400 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
pd - рассеивание мощности	65 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1000
серия	STL128D
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка / блок	TO-220-3
вес, г	1.8
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

STL128D