STF14NM50N
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разныеМОП-транзистор N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| hts | 8541.29.00.95 |
| id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 12 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 320@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 500 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±25 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 25000 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| package height | 16.4(Max) |
| package length | 10.4(Max) |
| package width | 4.6(Max) |
| packaging | Tube |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 25 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| process technology | MDmesh II |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 27 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 320 mOhms |
| серия | STF14NM50N |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220FP |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 12 ns |
| типичное время задержки выключения | 42 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| typical fall time (ns) | 22 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 27 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 27@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 816@50V |
| typical rise time (ns) | 16 |
| typical turn-off delay time (ns) | 42 |
| typical turn-on delay time (ns) | 12 |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| вес, г | 2 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 16 ns |
| время спада | 22 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26