STD10NM60N
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разныеМОП-транзистор N-channel 600 V Mdmesh 10A
| Вес и габариты | |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 10A |
| id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 70 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 70W |
| qg - заряд затвора | 19 nC |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| rds on - drain-source resistance | 550mО© @ 4A,10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| серия | STD10NM60N |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| типичное время задержки выключения | 32 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 600V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 12 ns |
| время спада | 15 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
