ST13007D, Bipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ST13007D
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics ST13007D, Bipolar Transistors - BJT High volt ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberST13007 ->
collector- base voltage vcbo700 V
collector- emitter voltage vceo max400 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)8A
dc collector/base gain hfe min18 at 2 A at 5 V, 8 at 5 A at 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce8 @ 5A, 5V
dc усиление тока hfe8hFE
длина10.4 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo9 V
factory pack quantity1000
height15.75 mm
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)18 at 2 A at 5 V, 8 at 5 A at 5 V
кол-во в упаковке50
конфигурацияSingle
length10.4 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора8 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum dc collector current8 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораThrough Hole
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)9 V
напряжение коллектор-база (vcbo)700 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
непрерывный коллекторный ток8 A
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
packagingTube
партномер8004583696
pd - power dissipation80 W
pd - рассеивание мощности80 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation80Вт
power - max80W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V to 1000V Transistors
серияST13007D
стиль корпуса транзистораTO-220AB
supplier device packageTO-220
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.070548 oz
упаковка / блокTO-220-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic2V @ 2A, 8A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки13:55:25
Ширина4.6 мм
width4.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль