ST13003-K, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1.5 А, 40 Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ST13003-K
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics ST13003-K, Биполярный транзистор, NPN, 400 В ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота10.8 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
33
+
Бонус: 0.66 !
Бонусная программа
Итого: 33
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 400 В, 1.5 А, 40 Вт
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота10.8 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberST13003 ->
collector- emitter voltage vceo max400 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)1mA
current - collector (ic) (max)1.5A
dc collector/base gain hfe min8
dc current gain hfe max8
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce5 @ 1A, 2V
длина7.8 mm (Max)
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo9 V
factory pack quantity500
height10.8 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.8
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8
кол-во в упаковке500
конфигурацияSingle
length7.8 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum dc collector current1.5 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)9 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageBulk
package / caseTO-225AA, TO-126-3
packagingBulk
партномер8785972302
pd - power dissipation40000 mW
pd - рассеивание мощности40000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max40W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки500
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V to 1000V Transistors
серияST13003-K
supplier device packageSOT-32-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковкаBulk
упаковка / блокSOT-32-3
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 500mA, 1.5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки14:02:37
Ширина2.7 м
width2.7 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль