SST2907AT116, Транзистор: PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST2907AT116
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm SST2907AT116, Транзистор: PNP
Rohm
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота0.95 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
8
+
Бонус: 0.16 !
Бонусная программа
Итого: 8
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V 0.6A
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота0.95 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product numberSST2907 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
длина2.9 mm
другие названия товара №SST2907A
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток0.6 A
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8014889998
pd - рассеивание мощности350 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max350mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияSST2907A
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageSST3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic1.6V @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки16:48:48
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль