SSM2212RZ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Analog Devices SSM2212RZ
Analog Devices
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота 1.5 м
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
2 750
+
Бонус: 55 !
Бонусная программа
Итого: 2 750
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементSmall Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MS-012AA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота 1.5 м
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
БрендAnalog Devices
Основные
base product numberSSM2212 ->
collector- base voltage vcbo40 V
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage200 mV
collector-emitter saturation voltage:50 mV
collector- emitter voltage vceo max40 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configurationDual
configuration:Dual
current - collector cutoff (max)500pA
current - collector (ic) (max)20mA
dc collector/base gain hfe min200 at 10 uA, 15 V
dc collector/base gain hfe min:200 at 10 uA, 15 V
длина5 mm (Max)
eccnEAR99
factory pack quantity98
factory pack quantity: factory pack quantity:98
frequency - transition200MHz
gain bandwidth product ft200 MHz
gain bandwidth product ft:200 MHz
height1.5 mm(Max)
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 uA, 15 V
конфигурацияDual
length5 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 85 C
максимальный постоянный ток коллектора20 mA
manufacturerAnalog Devices Inc.
manufacturer:Analog Devices Inc.
maximum dc collector current20 mA
maximum dc collector current:20 mA
maximum operating temperature+85 C
maximum operating temperature:+85 C
минимальная рабочая температура40 C
minimum operating temperature-40 C
minimum operating temperature:-40 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOIC-8
package / case:SOIC-8
packagingTube
packaging:Tube
партномер8003807392
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размер фабричной упаковки98
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesSSM2212
series:SSM2212
серияSSM2212
subcategory:Transistors
supplier device package8-SOIC
technology:Si
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаAnalog Devices
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
transistor type2 NPN (Dual) Matched Pair
unit weight0.019048 oz
упаковка / блокSOIC-8
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 100ВµA, 1mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки0:49:28
Ширина4 м
width4 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль