SS8550DTA, Bipolar Transistors - BJT TO92 PNP 2W A/P
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SS8550DTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTTrans GP BJT PNP 25V 1.5A 1000mW 3-контактный TO-92 Fan-Fold
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.24 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo: | 40 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 280 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 25 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | -1.5 A |
| dc collector/base gain hfe min: | 85 |
| dc current gain hfe max: | 300 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 6 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 2000 |
| gain bandwidth product ft: | 200 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Through Hole |
| manufacturer: | onsemi |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.2 80mA 800mA |
| maximum collector base voltage | -40 V |
| maximum collector base voltage (v) | 40 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5 80mA 800mA |
| maximum collector emitter voltage | 25 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 25 |
| maximum dc collector current | 1.5 A |
| maximum dc collector current: | 1.5 A |
| maximum dc collector current (a) | 01.05.2024 |
| maximum emitter base voltage | -6 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating frequency | 200 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 1 W |
| maximum power dissipation (mw) | 1000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 200(Typ) |
| minimum dc current gain | 160 100mA 1V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case: | TO-92-3 Kinked Lead |
| package type | TO-92 |
| packaging | Fan-Fold |
| packaging: | Ammo Pack |
| партномер | 8004836086 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 1 W |
| pin count | 3 |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series: | SS8550 |
| standard package name | TO-92 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | TO-92 |
| technology: | Si |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity: | PNP |
| transistor type | PNP |
| type | PNP |
| Время загрузки | 2:11:55 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
