коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
85
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
1.5 A
maximum collector base voltage
40 V
maximum collector emitter voltage
25 V
maximum dc collector current
1.5 A
maximum emitter base voltage
6 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
1 W
минимальная рабочая температура
65 C
minimum dc current gain
120, 160
mounting type
Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
непрерывный коллекторный ток
1.5 A
number of elements per chip
1
package type
TO-92
партномер
8004836083
pd - рассеивание мощности
1 W
pin count
3
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
100 MHz
размер фабричной упаковки
2000
серия
SS8050
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
упаковка
Ammo Pack
упаковка / блок
TO-92-3 Kinked Lead
вид монтажа
Through Hole
Время загрузки
2:11:57
Ширина
3.93 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26