SPZTA42T1G, Bipolar Transistors - BJT SS HV XTR NPN 300V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SPZTA42T1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
The NPN Bipolar Transistor is designed for use as a general purpose amplifier and in switching applications.
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft
50МГц
collector emitter voltage max
300В
continuous collector current
500мА
dc current gain hfe min
25hFE
dc усиление тока hfe
25hFE
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов
4вывод(-ов)
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
150°C
maximum collector emitter voltage
300 V
maximum dc collector current
500 mA
maximum emitter base voltage
6 V dc
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
1.5 W
монтаж транзистора
Surface Mount
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package type
SOT-223(SC-73)
партномер
8005376346
pin count
3+Tab
полярность транзистора
NPN
power dissipation
1.5Вт
стиль корпуса транзистора
SOT-223
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
уровень чувствительности к влажности (msl)
MSL 1-Безлимитный
Время загрузки
2:12:02
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26