SMMBTA56LT1G, Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SMMBTA56LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SMMBTA56LT1G, Bipolar Transistors - BJT SS DR ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@10mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)4
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
militaryNo
minimum dc current gain100@10mA@1V|100@100mA@1V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package height0.94
package length02.09.2024
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8006225568
part statusActive
pcb changed3
pin count3
product categoryBipolar Small Signal
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
supplier temperature gradeAutomotive
typePNP
Время загрузки2:11:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль