SMMBT2222ALT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SMMBT2222ALT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SMMBT2222ALT1G, Bipolar Transistors - BJT SS ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo75 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
continuous collector current600 mA
dc collector/base gain hfe min40
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage75 V dc
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current1100 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation225 mW
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8005376238
pd - power dissipation300 mW
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
seriesMMBT2222AL
subcategoryTransistors
technologySi
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки1:27:35
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль