SMBT3946DW1T1G, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA NPN+PNP SC88 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SMBT3946DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SMBT3946DW1T1G, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
57
+
Бонус: 1.14 !
Бонусная программа
Итого: 57
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V, 40 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV, 250 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Dual
emitter- base voltage vebo:6 V, 5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz, 250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-363-6
партномер8010643196
pd - power dissipation:150 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:MBT3946DW1T1
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN, PNP
Время загрузки1:27:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль