SMBT3904E6327XT, Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.2A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SMBT3904E6327XT
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon SMBT3904E6327XT, Bipolar Transistors - BJT AF ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:200 mA
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Infineon
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8021254003
part # aliases:SMBT E6327 SP000011673 3904 SMBT3904E6327HTSA1
pd - power dissipation:330 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки3:16:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль