SMBT2222AE6327HTSA1, Bipolar Transistor, NPN, 40V, SOT-23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SMBT2222AE6327HTSA1
Transistors, BipolarБиполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Вес и габариты
base product numberMBT2222A ->
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Transistors, BipolarБиполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Вес и габариты
base product numberMBT2222A ->
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
другие названия товара №SMBT 2222A E6327 SP000011176
eccnEAR99
frequency - transition300MHz
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
непрерывный коллекторный ток600 mA
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности330 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max330mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияSMBT2222
supplier device packageSOT-23-3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 50mA, 500mA
вес, г0.951
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль