Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.2A
Вес и габариты
длина:
2.9 mm
другие названия товара №:
SP000011673 SMBT394E6327XT SMBT3904E6327HTSA1
категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация:
Single
квалификация:
AEC-Q101
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
минимальная рабочая температура:
- 65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):
60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:
40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.3 V
непрерывный коллекторный ток:
200 mA
pd - рассеивание мощности:
330 mW
подкатегория:
Transistors
полярность транзистора:
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):
300 MHz
производитель:
infineon
размер фабричной упаковки:
3000
серия:
SMBT3904
ширина:
1.3 mm
технология:
Si
тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:
Infineon Technologies
упаковка / блок:
SOT-23-3
вес, г
0.008
вид монтажа:
SMD/SMT
высота:
1 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26