Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A

Подробное описание

Вес и габариты
длина	2.9 mm
другие названия товара №	SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327XT SP000011176
Высота	1 мм

Все характеристики

94 ₽

– +

Бонус: 1.88 !

Бонусная программа

Итого: 94 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина	2.9 mm
другие названия товара №	SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327XT SP000011176
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
непрерывный коллекторный ток	600 mA
pd - рассеивание мощности	330 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	300 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	SMBT2222
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	SOT-23-3
вес, г	0.008
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

SMBT 2222A E6327