Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 4 NPN Darlington (Quad) 120V 5A 5W Through Hole 12-SIP

Подробное описание

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	2000 @ 3A, 2V

Все характеристики

1 470 ₽

– +

Бонус: 29.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 470 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 4 NPN Darlington (Quad) 120V 5A 5W Through Hole 12-SIP

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	2000 @ 3A, 2V
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	12-SIP
power - max	5W
rohs status	RoHS Compliant
supplier device package	12-SIP
transistor type	4 NPN Darlington (Quad)
vce saturation (max) @ ib, ic	1.5V @ 3mA, 3A
voltage - collector emitter breakdown (max)	120V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

SMA5106