SIJH800E-T1-GE3, N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIJH800E-T1-GE3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Vishay SIJH800E-T1-GE3, N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гапр.54
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
1 130
+
Бонус: 22.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Разные ТранзисторыThe Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гапр.54
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Основные
channel typeN
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum continuous drain current299 A
maximum drain source resistance0.0018 Ω
maximum drain source voltage80 V
maximum gate threshold voltage4V
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typePowerPAK 8x8L
партномер8014848592
pin count4
seriesN-Channel 80-V
Время загрузки23:12:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль