SI4056DY-T1-GE3, Транзистор, канал N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI4056DY-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
транзисторы биполярные импортные
Дата загрузки
12.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Основные
channel mode
Enhancement
channel type
N
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
maximum continuous drain current
11.1 A
maximum drain source resistance
31 mΩ
maximum drain source voltage
100 V
maximum gate source voltage
-20 V, +20 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
5.7 W
minimum gate threshold voltage
1.5V
minimum operating temperature
-55 °C
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package type
SOIC
партномер
8025338726
pin count
8
series
ThunderFET
transistor configuration
Single
transistor material
Si
typical gate charge @ vgs
19.6 nC @ 10 V
Время загрузки
23:18:19
width
4mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26