SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор маломощный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2305CDS-T1-GE3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Vishay SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор маломощный
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
62
+
Бонус: 1.24 !
Бонусная программа
Итого: 62
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзистор полевой P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Основные
channel modeEnhancement
channel typeP
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum continuous drain current4.4 A
maximum drain source resistance35 mΩ
maximum drain source voltage8 V
maximum gate source voltage-8 V, +8 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation960 mW
minimum gate threshold voltage0.4V
minimum operating temperature-55 °C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-23
партномер8025093682
pin count3
transistor configurationSingle
transistor materialSi
typical gate charge @ vgs12 nC @ 4.5 V, 20 nC @ 8 V
Время загрузки23:11:08
width1.4mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль