SBCP56T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.5 Вт, SOT-223, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBCP56T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Высота | 1.57 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
aec qualified number | AEC-Q101 |
automotive | Yes |
частота перехода ft | 130МГц |
collector emitter voltage max | 80В |
configuration | Single Dual Collector |
continuous collector current | 1А |
dc current gain hfe min | 25hFE |
dc усиление тока hfe | 25hFE |
длина | 6.5 mm |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 25 at 5 mA at 2 V |
количество выводов | 4вывод(-ов) |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA at 2 V, 40 at 150 mA at 2 V, 25 at 500 |
конфигурация | Single |
квалификация | AEC-Q101 |
lead shape | Gull-wing |
линейка продукции | BCP56 |
максимальная рабочая температура | 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
material | Si |
maximum collector base voltage (v) | 100 |
maximum collector cut-off current (na) | 100 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5@50mA@500mA |
maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
maximum dc collector current (a) | 1 |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 1500 |
maximum transition frequency (mhz) | 130(Typ) |
military | No |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum dc current gain | 25@500mA@2V|25@5mA@2V|40@150mA@2V |
minimum operating temperature (°c) | -65 |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -65 to 150 |
package height | 1.57 |
package length | 06.05.2024 |
package width | 03.05.2024 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8000275182 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 1500 mW |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power dissipation | 1.5Вт |
product category | Bipolar Power |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 130 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
серия | BCP56 |
standard package name | SOT-223 |
стиль корпуса транзистора | SOT-223 |
supplier package | SOT-223 |
supplier temperature grade | Automotive |
tab | Tab |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-223-4 |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 2:11:36 |
Ширина | 3.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26