SBCP56T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.5 Вт, SOT-223, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBCP56T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBCP56T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.57 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.57 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
частота перехода ft130МГц
collector emitter voltage max80В
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current
dc current gain hfe min25hFE
dc усиление тока hfe25hFE
длина6.5 mm
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.25 at 5 mA at 2 V
количество выводов4вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 5 mA at 2 V, 40 at 150 mA at 2 V, 25 at 500
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
линейка продукцииBCP56
максимальная рабочая температура150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
materialSi
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@50mA@500mA
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1500
maximum transition frequency (mhz)130(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain25@500mA@2V|25@5mA@2V|40@150mA@2V
minimum operating temperature (°c)-65
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package height1.57
package length06.05.2024
package width03.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8000275182
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности1500 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation1.5Вт
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияBCP56
standard package nameSOT-223
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:11:36
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль