SBCP56-10T1G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 1,5Вт, SOT223
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBCP56-10T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.16 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| частота перехода ft | 130МГц |
| collector emitter voltage max | 80В |
| continuous collector current | 1А |
| dc current gain hfe min | 25hFE |
| dc усиление тока hfe | 25hFE |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 160 at 150 mA, 2 V |
| количество выводов | 4вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| линейка продукции | BCP56 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| maximum collector emitter voltage | 80 V dc |
| maximum emitter base voltage | 5 V dc |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 1.5 W |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| number of elements per chip | 1 |
| package type | SOT-223 |
| партномер | 8002651954 |
| pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| pin count | 3+Tab |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 1.5Вт |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 130 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| серия | BCP56 |
| стиль корпуса транзистора | SOT-223 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:10:57 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
