Name: SBCP56-10T1G, ON Semi SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3 + Tab-Pin SOT-223
Brand: ON Semiconductor***
SKU: SBCP56-10T1G

SBCP56-10T1G, ON Semi SBCP56-10T1G NPN Digital Transistor, 80 V dc, 3 + Tab-Pin SOT-223

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBCP56-10T1G, ON Semi SBCP56-10T1G NPN ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

43 ₽

– +

Бонус: 0.86 !

Бонусная программа

Итого: 43 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe NPN Bipolar Transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft	130МГц
collector emitter voltage max	80В
continuous collector current	1А
dc current gain hfe min	25hFE
dc усиление тока hfe	25hFE
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	160 at 150 mA, 2 V
количество выводов	4вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	63 at 150 mA, 2 V
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	BCP56
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	1 A
maximum collector emitter voltage	80 V dc
maximum emitter base voltage	5 V dc
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	1.5 W
минимальная рабочая температура	65 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
number of elements per chip	1
package type	SOT-223
партномер	8014513871
pd - рассеивание мощности	1.5 W
pin count	3+Tab
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power dissipation	1.5Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	130 MHz
размер фабричной упаковки	1000
серия	BCP56
стиль корпуса транзистора	SOT-223
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-223-4
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	1:27:43

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)BCP56 SBCP56-10T1G