SBC857BLT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC857BLT1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:650 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:220 at-2 mA, -5 V
dc current gain hfe max:475 at-2 mA, -5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8008459555
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:BC857BL
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:11:05
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль