SBC857BLT1G, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC857BLT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC857BLT1G, Биполярный транзистор, PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:650 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:220 at-2 mA, -5 V
dc current gain hfe max:475 at-2 mA, -5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8376467671
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:BC857BL
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки1:25:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль