SBC848BLT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC848BLT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC848BLT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
52
+
Бонус: 1.04 !
Бонусная программа
Итого: 52
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo30 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min200 at 2 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
packagingCut Tape or Reel
партномер8006414380
pd - power dissipation300 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
seriesBC848BL
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки1:27:03
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль