SBC848BLT1G, 30V 300mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT233 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC848BLT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC848BLT1G, 30V 300mW 200@2mA,5V 100mA NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo30 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min200 at 2 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
packagingCut Tape or Reel
партномер8013387475
pd - power dissipation300 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
seriesBC848BL
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки0:15:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль