SBC847CWT3G, Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC847CWT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC847CWT3G, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 45V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:600 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
партномер8004739320
pd - power dissipation:200 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:BC847CW
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки1:27:05
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль