SBC847CDW1T1G, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC847CDW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC847CDW1T1G, Транзистор: NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
31
+
Бонус: 0.62 !
Бонусная программа
Итого: 31
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SSP XSTR SC-88 NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage250 mV
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationDual
dc collector/base gain hfe min420 at 2 mA, 5 V
dc current gain hfe max800 at 2 mA, 5 V
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.800 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA at 5 V
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
manufacturerON Semiconductor
maximum base emitter saturation voltage (v)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current100 mA
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)380
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain420@2mA@5V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
number of elements per chip2
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package / caseSOT-363-6
package height0.9
package length2
package width1.25
packagingTape and Reel
партномер8017548184
part statusActive
pcb changed6
pd - power dissipation380 mW
pd - рассеивание мощности380 mW
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Small Signal
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки3000
seriesBC846C
серияBC846C
standard package nameSC
subcategoryTransistors
supplier packageSC-88
supplier temperature gradeAutomotive
technologySi
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:15:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль