- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SSP XSTR SC-88 NPN
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.0075 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
aec qualified number | AEC-Q101 |
automotive | Yes |
collector- base voltage vcbo | 50 V |
collector-emitter saturation voltage | 250 mV |
collector- emitter voltage vceo max | 45 V |
configuration | Dual |
dc collector/base gain hfe min | 420 at 2 mA, 5 V |
dc current gain hfe max | 800 at 2 mA, 5 V |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 6 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity | 3000 |
gain bandwidth product ft | 100 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 800 at 2 mA at 5 V |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA at 5 V |
конфигурация | Dual |
квалификация | AEC-Q101 |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
manufacturer | ON Semiconductor |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
maximum collector base voltage (v) | 50 |
maximum collector cut-off current (na) | 15 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
maximum dc collector current | 100 mA |
maximum dc collector current (a) | 0.1 |
maximum emitter base voltage (v) | 6 |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 380 |
maximum transition frequency (mhz) | 100(Min) |
military | No |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 420@2mA@5V |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
number of elements per chip | 2 |
operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
package / case | SOT-363-6 |
package height | 0.9 |
package length | 2 |
package width | 1.25 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8017548184 |
part status | Active |
pcb changed | 6 |
pd - power dissipation | 380 mW |
pd - рассеивание мощности | 380 mW |
pin count | 6 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
product category | Bipolar Small Signal |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
qualification | AEC-Q101 |
размер фабричной упаковки | 3000 |
series | BC846C |
серия | BC846C |
standard package name | SC |
subcategory | Transistors |
supplier package | SC-88 |
supplier temperature grade | Automotive |
technology | Si |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor polarity | NPN |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-363-6 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 0:15:47 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26