SBC847BDW1T3G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC847BDW1T3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC847BDW1T3G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
16
+
Бонус: 0.32 !
Бонусная программа
Итого: 16
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA, 5 V
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
партномер8012902228
pd - рассеивание мощности380 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки10000
серияBC847BDW1
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:15:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль