SBC847BDW1T1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC847BDW1T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 45V
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.0075 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| aec qualified number | AEC-Q101 |
| automotive | Yes |
| configuration | Dual |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 450 at 2 mA at 5 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| конфигурация | Dual |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector cut-off current (na) | 15 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 380 |
| maximum transition frequency (mhz) | 100(Min) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 200@2mA@5V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| number of elements per chip | 2 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| package height | 0.9 |
| package length | 2 |
| package width | 1.25 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8006258540 |
| part status | Active |
| pcb changed | 6 |
| pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| pin count | 6 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Small Signal |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | BC847BDW1 |
| standard package name | SC |
| supplier package | SC-88 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-363-6 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:11:18 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
