SBC847AWT1G
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 45V
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| aec qualified number | AEC-Q101 |
| automotive | Yes |
| configuration | Single |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector cut-off current (na) | 15 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 150 |
| maximum transition frequency (mhz) | 100(Min) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 110@2mA@5V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| number of elements per chip | 1 |
| package height | 0.85 |
| package length | 02.01.2024 |
| package width | 1.24 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8008460938 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Small Signal |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | BC847AW |
| standard package name | SOT-323 |
| supplier package | SC-70 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-323-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:26:02 |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
