SBC846BPDW1T2G, Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SBC846BPDW1T2G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor SBC846BPDW1T2G, Bipolar Transistors - BJT SS ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.475
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV, 250 mV
партномер8005376099
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияBC846BPDW1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:11:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль