S2SC4617G, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 125mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: S2SC4617G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor S2SC4617G, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 125mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0025
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
70
+
Бонус: 1.4 !
Бонусная программа
Итого: 70
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SSP SC75 GP XSTR 50V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0025
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft180МГц
collector emitter voltage max50В
continuous collector current100мА
dc current gain hfe min120hFE
dc усиление тока hfe120hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.560
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8001347227
pd - рассеивание мощности125 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation125мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки3000
серия2SC4617
стиль корпуса транзистораSC-75
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-75-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:28:36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль