RN4989(TE85L,F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN4989(TE85L,F)
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц, 200 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTPH1R306 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz, 200MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер8006598946
power - max200mW
resistor - base (r1)47kOhms
resistor - emitter base (r2)22kOhms
supplier device packageUS6
transistor type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:54:56
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль