RN4908,LF(CT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 200 МГц, 250 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6
Вес и габариты
base product numberSSM3K56 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
67
+
Бонус: 1.34 !
Бонусная программа
Итого: 67
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 200 МГц, 250 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6
Вес и габариты
base product numberSSM3K56 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz, 250MHz
htsus8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
power - max200mW
resistor - base (r1)22kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageUS6
transistor type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль