RN4901FE,LF(CT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN4901FE,LF(CT
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
75
+
Бонус: 1.5 !
Бонусная программа
Итого: 75
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 200 МГц, 250 МГц 100 мВт Поверхностный монтаж ES6
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberDF2S6.2 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz, 250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-563, SOT-666
партномер8006704752
power - max100mW
resistor - base (r1)4.7kOhms
resistor - emitter base (r2)4.7kOhms
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageES6
transistor type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:53:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль