RN2713JE(TE85L,F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN2713JE(TE85L,F)
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) (с эмиттерной связью) 50 В 100 мА 200 МГц 100 мВт ESV для поверхностного монтажа
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberDF5A3.3 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-553
партномер8006774502
power - max100mW
resistor - base (r1)47kOhms
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageESV
transistor type2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:54:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль