Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Вес и габариты
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:
400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):
120
конфигурация:
Dual
квалификация:
AEC-Q101
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:
- 100 mA
минимальная рабочая температура:
- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):
- 5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):
- 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:
- 50 V
pd - рассеивание мощности:
200 mW
подкатегория:
Transistors
полярность транзистора:
PNP
производитель:
Toshiba
размер фабричной упаковки:
3000
тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка:
Toshiba
упаковка / блок:
USV-5
вид монтажа:
SMD/SMT
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26