RN2426(TE85L,F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 800 мА 200 МГц 200 мВт S-Mini для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberTA58L05 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)800mA
98
+
Бонус: 1.96 !
Бонусная программа
Итого: 98
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 800 мА 200 МГц 200 мВт S-Mini для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberTA58L05 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)800mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce90 @ 100mA, 1V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
power - max200mW
resistor - base (r1)1 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageS-Mini
transistor typePNP - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 1mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль