RN2410,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 200 мВт S-Mini для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberTPN11006 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
44
+
Бонус: 0.88 !
Бонусная программа
Итого: 44
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 200 мВт S-Mini для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberTPN11006 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
power - max200mW
resistor - base (r1)4.7 kOhms
supplier device packageS-Mini
transistor typePNP - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль