Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
количество каналов	1 Channel
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100

Все характеристики

41 ₽

– +

Бонус: 0.82 !

Бонусная программа

Итого: 41 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
количество каналов	1 Channel
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	10 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
pd - рассеивание мощности	150 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
размер фабричной упаковки	8000
серия	RN2130
типичное входное сопротивление	100 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	1
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOT-723-3
вес, г	0.0015
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

RN2130MFV,L3F