RN2105MFV,L3F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
Вес и габариты
канальный режимEnhancement
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
40
+
Бонус: 0.8 !
Бонусная программа
Итого: 40
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
Вес и габариты
канальный режимEnhancement
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая частота250 MHz
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
pd - рассеивание мощности150 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки8000
серияRN2105MFV
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.0468
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-723-3
вес, г0.0015
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль