RN2105MFV,L3F(CT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт Поверхностный монтаж VESM
Вес и габариты
base product numberTPH5200 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
22
+
Бонус: 0.44 !
Бонусная программа
Итого: 22
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт Поверхностный монтаж VESM
Вес и габариты
base product numberTPH5200 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-723
power - max150mW
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)47 kOhms
supplier device packageVESM
transistor typePNP - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль