Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

Подробное описание

Вес и габариты
канальный режим	Enhancement
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80

98 ₽

– +

Бонус: 1.96 !

Бонусная программа

Итого: 98 ₽

Купить

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz

Вес и габариты
канальный режим	Enhancement
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
конфигурация	Dual
максимальная рабочая частота	250 MHz
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
pd - рассеивание мощности	100 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	4000
серия	RN1705
типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	0.0468
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	Toshiba
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	ESV-5
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

RN1705JE(TE85L,F)