Name: RN1702JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1702JE(TE85L,F)

Подробное описание

Дата загрузки	12.02.2024
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные

Все характеристики

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) (с эмиттерной связью) 50 В 100 мА 250 МГц 100 мВт ESV для поверхностного монтажа

Дата загрузки	12.02.2024
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base product number	RN2105 ->
current - collector cutoff (max)	100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	50 @ 10mA, 5V
диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
eccn	EAR99
frequency - transition	250MHz
htsus	8541.21.0095
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
конфигурация	Dual
максимальная рабочая частота	250 MHz
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	10 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	SOT-553
партномер	8006730999
pd - рассеивание мощности	100 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	100mW
размер фабричной упаковки	4000
resistor - base (r1)	10kOhms
resistor - emitter base (r2)	10kOhms
rohs status	RoHS Compliant
серия	RN1702
supplier device package	ESV
типичное входное сопротивление	10 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	1
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	Toshiba
transistor type	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
упаковка / блок	ESV-5
vce saturation (max) @ ib, ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	50V
Время загрузки	23:50:45

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Toshiba F)Транзисторы биполярные (BJTs)RN1702JE(TE85L RN1702