RN1502(TE85L,F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1502(TE85L,F)
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base-emitter resistor10kΩ
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияDual
максимальная рабочая частота250 MHz
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage10 V
maximum operating temperature+150 °C
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain50
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)10 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
number of elements per chip2
package typeSSOP
партномер8006669267
pd - рассеивание мощности300 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
pin count5
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияRN1502
типичное входное сопротивление10 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
transistor configurationCommon Emitter
transistor typeNPN
typical input resistor10 kΩ
typical resistor ratio1
упаковка / блокSMV-5
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:51:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль